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chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw

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Porcellana Bytech Electronics Co., Ltd. Certificazioni
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chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw

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Grande immagine :  chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw

Dettagli:
Luogo di origine: Canton, Cina
Marca: BYTECH
Certificazione: ROHS
Numero di modello: H565C2F33Z29-S2P3
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Imballaggio elettrostatico
Tempi di consegna: giorni 7-15work
Termini di pagamento: Western Union, T/T, MoneyGram, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100k/month

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw

descrizione
Lunghezza d'onda di picco: 270-280nm Cambiamento continuo radiante: 100-140mw
Tensione di andata: 10.0~18.0 Angolo di vista: 120°
I chip marcano a caldo: Sanan Quantità dei chip: 6
Garanzia: 10000hours Corrente SE: 450MA
Evidenziare:

chip UV di 275nm LED Smd

,

chip UV di 100mw LED Smd

,

Chip UV di 450MA LED

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw

 

Profilo aziendale:

 

Bytech è la prima società in Cina per lanciare il pacchetto inorganico completo LED UV che è basato sul platfrom della tecnologia di CMH (ceramico, metallo, vetro duro).

Possiamo fornire i prodotti di serie di CMH (alta affidabilità) e di serie di u D (alta prestazione costata), compreso UVA/UVB/UVC/VCSEL.

Riguarda il trattamento, la stampa, l'autenticazione (dei soldi), la sterilizzazione della disinfezione e medica e l'industria di sicurezza.

 

Caratteristiche elettriche:
 
Parametro Simbolo Unità IF=450mA corrente continuo IF=600mA corrente intermittente
Lunghezza d'onda di picco λp nanometro 260-270 260-270
Cambiamento continuo radiante Φe Mw 100-140 120-160
Tensione di andata VF V 10.0-18.0 11.0-18.0
Resistenza termica Rth °C/W ≦20 ≦20
Tensione inversa Vr V 10 10
Mezza larghezza di spettro Δλ nanometro 9,5 9,5
Angolo di vista 2θ1/2 grado 120 120

 

Il pacchetto dimensiona (unità: millimetro):

 

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw 0
 
Immagine dei prodotti:
 
chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw 1

 

Linea di produzione:

 

 

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw 2

 

Imballaggio:

 

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw 3

 

Applicazione:

chip principali uv dello smd di potere 275nm H565C2F33Z29-S2P3 di cambiamento continuo radiante 100mw 4

 

Alcuna domanda, non esita liberamente, non ci contatta!

Dettagli di contatto
Bytech Electronics Co., Ltd.

Persona di contatto: Helen Yang

Telefono: +86-13590418367

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